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SiC半導体
SiC Power Materials and Devices
Si半導体
Silicon Nanodevices
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研究業績
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研究業績
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学位論文
Dissertation
目 次 Table of Contents
序文・謝辞
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
8 研究業績・付録
8. List of Publications / Appendix
出版
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受 賞
Awards
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
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1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
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4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
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Kentaro Shibahara
Kentaro Shibahara
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Articles on the research, publications, and academic activities of Kentaro Shibahara.
SiC半導体
Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), Tokyo, pp. 227–230. [DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2]Note: This extended abs...
2026-01-16
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