芝原健太郎・松波研究室|世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証―IEEE EDL 1986 Kentaro Shibahara and the Matsunami Laboratory | World’s First Demonstration of an Inversion-Type SiC MOSFET — IEEE EDL 1986
1986年、芝原健太郎らは京都大学松波弘之研究室において、反転型SiC-MOSFETの作製および動作実証に成功し、その成果はIEEE Electron Device Lettersに掲載されました。 これは、SiCがMOSデバイス材料として実用可能であることを初めて実証した研究です。本...