芝原健太郎(Kentaro Shibahara)は
1986年 世界初の反転型SiC MOSFETを京都大学で作成しました。
1987年 「ステップ制御エピタキシー成長法」を実現、今日のSiCパワーデバイス実用化を可能にしました（2005年SSDM Award受賞）
その後、NEC勤務を経て、広島大学に在籍し、主にSi半導体分野において研究・教育・学会・産業界で活発な活動をしていました。
世界的権威を誇るVLSIシンポジウム及びIEDMなど国際会議のプログラム委員などを歴任しましたが、2011年に他界、VLSI Symposium 2011では異例の追悼の時間が設けられました。
「タウア・ニン最新VLSIの基礎」の監訳者としても知られています。
このサイトは多くの方の協力を得て家族が管理人として作成しています。
資料や記事、ことばや写真などをお寄せください。リンクもお願いします。
コメント
コメント一覧 （2件）
こんにちは、これはコメントです。
コメントの承認、編集、削除を始めるにはダッシュボードの「コメント」画面にアクセスしてください。
コメントのアバターは「Gravatar」から取得されます。
拝見しました。
ホームページづくり応援しています。
時々拝見しながらできていくのを楽しみにしています。
連絡先を作って下さったら、手持ちの資料等お送りしたいと思いますのでよろしくお願いします。