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      • 1 はじめに INTRODUCTION
      • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
      • 3 オフ基板上の成長
      • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
      • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
      • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
      • 7 結 論 CONCLUSIONS
      • 8 研究業績・付録8. List of Publications / Appendix
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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    2026-01-16
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