芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」の実現で2005年、黒田氏ら京都大学松波研究室のメンバーと一緒にSSDM賞を受賞しました。たいへん名誉な賞です。
現在実用化されているSiCパワーデバイスは、すべてこの技術を用いて作られています。SiCパワー半導体の市場規模は既に3千数百億円、2029年までに100億米ドルを超えるという予測（フランスの調査会社Yole Groupによる)までありますから、この技術の産業界へのインパクトは大きなものです。 （SSDM賞を受賞した5人のうちの１人で1987年当時指導教授だった松波弘之京都大学名誉教授はEdison Medalも受賞されています。）
芝原健太郎と一緒にSSDM Awardを受賞された西野茂弘先生（京都工芸繊維大学名誉教授）から、SSDMとSSDM Awardについての説明、2005年の受賞式について原稿と写真が寄せられていますので以下にご紹介します。その下に松波弘之京都大学名誉教授の文もあります。
SSDMアワード授賞式 2005.9.13
Solid State Device and Materials（固体素子・材料コンファレンス）は、固体エレクトロニクスの進化・発展によって、人類の生活の質的向上に資することを目的に開催される、日本における伝統ある国際会議の一つ。今年で50周年を迎えた。
前身である固体素子コンファレンスは、国内会議として1969 年に発足した。以後毎年開催されていたが、初めて国際コンファレンスとして開催されたのは1976 年、その後1982 年までは3年に１回、1984年から1990年までは隔年、そして1990 年以降は毎年、国際コンファレンスとして開催されるようになった。1983 年にはそのカテゴリーに材料分野を取り込んで、現在の固体素子・材料コンファレンス（SSDM）に名称を変更した。
同コンファレンスは、固体素子とその材料に関わる研究者に最新の成果を公表する機会を提供するとともに、その問題点や解決法を議論することで進むべき方向を提示することを目的としており、新素子のための新しい物理現象の発見・解明、さらに素子として実現するためのデバイス・プロセス技術、材料物性の評価技術の提案などが毎年発表されている。
発表: 1987年のSSDMで発表
題目：Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures
著者：H. Matsunami, N. Kuroda, W. S. Yoo, S. Nishino, and K. Shibahara
Kyoto Univ., Japan
このアワードは過去に発表した論文から優秀なものを年に１件を表彰するもので、私たちの発表がアワードを受けたのはたいへん名誉なことです。
SSDMアワードを一緒に受賞した松波弘之先生 ２００５年４月にとても嬉しい連絡を受けた。京都大学が１９８７年にＳＳＤＭ（固体素子材料国際 会 議 ） で 発 表 し た 「 Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures」by N. Kuroda, K. Shibahara, W. Yoo, S. Nishino, and H. Matsunami がＳＳＤＭ－２００５で、表彰されるというニュースであった。第１回から２０００年までの間にＳＳＤＭで発表された論文の中から、年に１件だけ表彰されるたいへん名誉な賞である。授与式では、著者の５人（黒田、芝原、兪、西野、松波）が集まることができ、たいへん嬉しく、晴れがましい経験をした。 この技術が中核となって、今、パワー半導体 SiC の実用化が始まっている。 （「故 芝原健太郎氏 追悼文集」(2011年)の中から）
以下は西野茂弘先生から頂いたスナップ写真です。
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