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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原　健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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半導体研究者 芝原健太郎（Kentaro Shibahara）｜プロフィール

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Kentaro Shibahara (1960-2011)

芝原健太郎は、半導体デバイスおよびプロセスを専門とする研究者です。京都大学大学院ではSiC半導体の研究に従事し、世界で初めて反転型SiC MOSFETの作製および動作実証に成功しました。さらに、ステップ制御エピタキシーを実現し、この成果によりSSDM賞を受賞しました。

その後、企業での研究を経て、広島大学では主にシリコン半導体分野でデバイス物理および微細化プロセス技術の研究に取り組むと同時に、SSDMにおいてCMOSデバイス分野の委員長（Chair）を務めるなど主要国際学会において学会運営やプログラム委員等を広く歴任しました。これらの研究活動および学術的貢献を通じて、当該分野を牽引し、その発展に貢献しました。

また、先端CMOSデバイス分野における標準的教科書『タウア・ニン最新VLSIの基礎』の監訳を手がけ、教育にも寄与しました。
※ 「柴原健太郎」と表記されることもありますが、正しくは「芝原健太郎」です。

関連リンクと研究キーワード

■学術・産業界における主な活動


■学術データベース, 資料


・研究者データ：KAKEN 芝原健太郎（国立情報学研究所）
・広島大学 大学院先端物質科学研究科 研究年報 既刊研究報告 2002年～2011年（現在は先進理工系科学研究科）
・広島大学 半導体産業技術研究所 年報（ARR） 2008～2009年, 2009～2010（この時期はナノデバイスバイオ融合科学研究所）
・ResearchGate – Kentaro Shibahara

■研究キーワード（時系列/編集者による）

1980年代（京都大学）

  • SiC結晶成長
  • SiC-MOSFET
  • オフ基板
  • 反転ドメイン境界（APD）
  • ”ステップ制御エピタキシー”

1988年～1995年（NEC）

  • 高集積DRAM
  • ∇型トレンチ
  • 256-Mb DRAM
  • 1-Gb DRAM

1995年～2000年代初頭（広島大学）

  • 次世代ナノスケールデバイス
  • 極微細MOSFET
  • 極浅接合形成
  • Sbイオン注入
  • 斜めイオン注入
  • プレアモルファス化注入（PAI）（B18Hx, Ge）
  • 熱アシストレーザーアニール

2000年代中期（広島大学）

  • Niシリサイド化
  • メタルゲート
  • フルシリサイド（FUSI）ゲート
  • Mo電極
  • 窒素導入
  • NiSi
  • Al
  • Pd2Si
  • ドーパント添加による仕事関数制御
  • SIMS深さプロファイル解析
  • プロセスシミュレーション

2000年代後半〜2011年（広島大学）

  • 次世代Ge-MOSFET
  • 極浅接合形成
  • フラッシュランプアニール（FLA）
  • プレアモルファス化注入（PAI）
  • ゲルマニサイド化
  • Ni-Ge
  • high-k膜上のメタルゲート
  • ゲートスタック構造
  • 仕事関数変調

  略     歴

1960年    神戸市生まれ
1985年    京都大学大学院博士前期課程 電気工学第二専攻 修了
1988年    京都大学大学院博士後期課程 電気工学第二専攻 修了（工学博士）

1988年～1995年1月 日本電気株式会社（NEC） 勤務

1995年2月   広島大学集積化システム研究センター助教授
1995年5月   ナノデバイス・システム研究センター（ナノデバイス研究所）発足に伴い同センター助教授
2007年4月   同センター准教授
2008年5月   ナノデバイス・バイオ融合科学研究所（RNBS）（現 半導体産業技術研究所（RICE））発足に伴い同研究所准教授

2011年4月21日  逝去

編集履歴：2026年４月紹介文挿入・変更、英語併記、キャプション追加、略歴表記法変更、略歴に研究分野追記、英語ページ作成、英語併記削除、　５月主な研究領域キーワードと公的データベース掲載、5月30日研究キーワード修正・追加、写真置換