芝原健太郎は、半導体物理、半導体デバイスおよび半導体プロセスを専門とした研究者です。京都大学大学院ではSiC半導体の研究に従事し、世界で初めて反転型SiC-MOSFETの作製および動作実証に成功しました。さらに、ステップ制御エピタキシーを実現し、この成果によりSSDM賞を受賞しました。
その後、NECにて高集積DRAMなどの研究開発を経て、広島大学では主にシリコン半導体分野でデバイス物理および微細化プロセス技術の研究に取り組みました。同時に、IEDMやVLSIシンポジウム、SSDMなど、半導体分野における主要国際学会においてプログラム委員や専門部会委員長（* Chair）などの要職を広く歴任しました。これらの研究活動および学術的貢献を通じて、当該分野の牽引と発展に尽力しました。その功績を称え、逝去に際してはVLSIシンポジウム開会式にて追悼の時間が設けられました。
また、先端CMOSデバイス分野における標準的教科書『タウア・ニン最新VLSIの基礎』の監訳を手がけ、教育にも寄与しました。
[研究業績紹介（SiC）] / [研究業績紹介（Si）] / [学術・産業界における活動] / [研究業績] / [出版] / [受賞] / [”タウア・ニン”監訳エピソード]
* Chair of the CMOS Devices / Device Physics Subcommittee
※ 「柴原健太郎」と表記されることもありますが、正しくは「芝原健太郎」です。
関連リンクと研究キーワード
■学術・産業界における主な活動
・IEDM、VLSIシンポジウム、SSDM、ITRS国際ロードマップ委員会、応用物理学会等における活動など
■外部リンク・資料
・[KAKEN 芝原健太郎] （国立情報学研究所）
・[J-GLOBAL — 芝原 健太郎 (広島大学）／（京都大学）／（NEC）／] （科学技術振興機構）
・[IEEE Xplore – Kentaro Shibahara（1996年以降）]*
・広島大学 大学院先端物質科学研究科 研究年報 [既刊研究報告 2002年～2011年] （現在は先進理工系科学研究科）
・広島大学 半導体産業技術研究所 年報（ARR） [2008〜2009年] [2009〜2010年] （この時期はナノデバイスバイオ融合科学研究所）
■研究キーワード※
1984年～1988年（京都大学）：
SiC結晶成長／オフ基板／”ステップ制御エピタキシー”（Step-controlled Epitaxy）／反転ドメイン境界（APD）
反転型SiC-MOSFET（3C-SiC）
1988年～1995年（NEC）:
高集積DRAM（256-Mb DRAM / 1-Gb DRAM）／V溝型トレンチ（∇型（ナブラ型）トレンチ）
1995年～2000年代初頭（広島大学）:
次世代ナノスケールデバイス（極微細MOSFET）／トンネルリーク電流／しきい値電圧ばらつき
極浅接合形成／Sb（アンチモン）イオン注入／斜めイオン注入／プレアモルファス化注入（PAI）（B18Hx／Ge）／熱アシストレーザーアニール／不純物不活性化（Dopant Deactivation）
逆モデリング
2000年代中期（広島大学）:
メタルゲート／フルシリサイド（FUSI）ゲート／Mo電極／窒素導入／ドーパント添加による仕事関数制御／Niシリサイド化（NiSi / Pd2Si）
In-situ （その場）TEM観察
2000年代後半～（広島大学）:
次世代Ge-MOSFET／ゲートスタック構造／high-k膜上のメタルゲート／Niシリサイド／仕事関数変調
極浅接合形成／プレアモルファス化注入（PAI）／フラッシュランプアニール（FLA）／SIMS深さプロファイル解析
プロセスシミュレーション（TCAD）／遺伝的アルゴリズム（GA）
※研究キーワードは研究業績を基に編集者が選定しました。
→ 研究業績（論文リスト） → SiC半導体の研究業績紹介 → Si半導体の研究業績紹介 →学位論文
略 歴
1960年 神戸市生まれ
1985年 京都大学大学院博士前期課程 電気工学第二専攻 修了
1988年 京都大学大学院博士後期課程 電気工学第二専攻 修了（工学博士）
1988年～1995年1月 日本電気株式会社（NEC） 勤務
1995年2月 広島大学集積化システム研究センター助教授
1995年5月 ナノデバイス・システム研究センター（ナノデバイス研究所）発足に伴い同センター助教授
2007年4月 同センター准教授
2008年5月 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所（RNBS）（現 半導体産業技術研究所（RICE））発足に伴い同研究所准教授
2011年4月21日 逝去（同年6月 VLSIシンポジウム開会式にて追悼）
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芝原健太郎：ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
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証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
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芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986） Kentaro Shibahara: World’s First Inversion SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
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『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価 Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
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「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986
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「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
編集履歴：2026年４月紹介文挿入・変更、英語併記、キャプション追加、略歴表記法変更、略歴に研究分野追記、英語ページ作成、英語併記削除、 ５月主な研究領域キーワードと公的データベース掲載、5月30日研究キーワード修正・追加、写真置換、6月6日データベース追加、キーワード修正、