(柴原健太郎ではなく芝原健太郎です)
１９６０年 神戸市生まれ
１９８５年 京都大学博士前期課程 電気工学第二専攻 修了
１９８８年 学位取得（「化学気相成長法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用」( ”EPITAXIAL GROWTH OF SiC BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND APPLICATION TO ELECTRONIC DEVICES”)（1988年京都大学））
１９８８年 京都大学博士後期課程 電気工学第二専攻 修了
大学時代の研究テーマは SiC の結晶成長とデバイス応用(松波研究室)
１９８８年～１９９５年１月 日本電気株式会社 勤務
超高速デジタル GaAs 系 FET や高集積 DRAM の研究開発に従事
１９９５年２月 広島大学集積化システム研究センター助教授
１９９５年５月 ナノデバイス・システム研究センター（ナノデバイス研究所）発足に伴い同センター助教授
２００７年４月 同上 准教授
２００８年５月 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所（現 半導体産業技術研究所）発足に伴い同研究所准教授
２０１１年４月２１日 逝去
