受 賞（Awards）

2005年 SSDM Award

芝原健太郎は、ステップ制御エピタキシー¹の実現で松波名誉教授らと共にSSDM Awardを受賞しました。

受賞対象論文

“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures“
SSDM 1987, DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2

業績の意義｜Significance

芝原健太郎は、6H-SiC(0001)基板にオフ角を導入することにより、高品質な6H-SiCのホモエピタキシャル成長を初めて実現しました。「ステップ制御エピタキシー」と名付けられた本成果は、今日のSiCパワーデバイス実用化の出発点であり、当該分野における最大のマイルストーンと評価されています。

この成果には、芝原が先に行っていたSi(100)オフ基板上での3C-SiC結晶成長とAPD抑制に関する研究が基礎となっています。²

SiCパワーデバイスは電気自動車・AIデータセンタ・再生エネルギーなどで使用され、市場規模は3000億円を超え年々拡大しています。³

主要国際会議SSDM（固体素子・材料コンファレンス）で最高の栄誉であるSSDM賞、松波名誉教授と西野元教授の寄稿を紹介します。

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1. 「ステップ制御エピタキシー」：ステップ制御エピタキシャル成長法に同じ。これの実現で、SiC半導体（パワーデバイス）が実用化された。電気自動車やデータセンタなどで使われており、市場規模は、3000億円を超える。 ↩︎
2. 芝原が先に行っていたSi(100)オフ基板上での3C-SiC結晶成長とAPD抑制に関する研究が基礎となっています。：受賞対象論文（アブストラクト）の序文には「近年の研究において、筆者らは基板のオフ方位がアンチフェーズドメインの消滅に有効であることを明らかにした。従来、SiC基板上へのSiCのCVD成長に関する報告はあるものの、オフ方位が及ぼす影響について明確に論じた研究は存在していなかった。」（和訳）と述べられている。
   そして以下の３件が引用文献となっている。
   K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Surface-morphology of cubic SiC(100) grown on Si(100) by chemical vapor deposition”, J. Crystal Growth 78 (1986) 538-544. 　[DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2]
   K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 1888-1890.　[DOI: 10.1063/1.97676]
   K. Shibahara, T. Saito, S. Nishino, and H. Matsunami, “Inversion-type N-channel MOSFET Using Antiphase-domain Free Cubic-SiC Grown on Si(100)”, Extended Abstracts of the 18th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1986), Tokyo, pp. 717–718, 1986. ↩︎
3. 市場規模は3000億円を超え年々拡大しています：フランスの市場調査会社Yole Groupの最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025～2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込み。 ↩︎

編集履歴：2026年5月英語ページ作製、8月本文・脚注追加