芝原健太郎は、6H-SiC(0001)基板にオフ角を導入することにより、高品質な6H-SiCのホモエピタキシャル成長を初めて実現しました。「ステップ制御エピタキシー」と名付けられた本成果は、今日のSiCパワーデバイス実用化の出発点であり、当該分野における最大のマイルストーンとして高く評価されています。 Professor Kentaro Shibahara achieved the world’s first successful homoepitaxial growth of high-quality 6H-SiC by introducing an off-angle to the 6H-SiC(0001) substrate. His pioneering work, known as “Step-Controlled Epitaxy,” established a key foundation for the practical realization of modern SiC power devices and is widely recognized as a major milestone in the field.
