Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”

SSDM賞を受賞した上記ですが、芝原健太郎サイト内ではSSDMのサイトへリンクを貼っています。けれども、ダウンロードしないと読むことができません。ダウンロードしにくい環境でも読むことができるように掲載します。ダウンロードも一番下からすることができます。(スマートフォンでは、下半分の形式のものは表示されないので、両方の形で掲載します。)

N. Kuroda, K. Shibahara, W. Yoo, S. Nishino, H. Matsunami,“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures,”
2005 年国際固体デバイスおよび材料会議 ( SSDM ) の拡張概要、pp. 227–230 (全文掲載許可有)

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