芝原健太郎は1986年に反転型SiC-MOSFETを作製および動作実証しました。今日世界中で生産され、電気自動車・再生可能エネルギーなどに利用されているSiCパワーデバイスの先駆けです。IEEE ELECTRON DEVICE LETTERSに掲載されました。 （K. Shibahara, T. Saito, S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on Si(100)7”, IEEE Electron Device Lett.,7 (1986) 692-693. DOI: 10.1109/EDL.1986.26522）
翌1987年4月にMRSでも発表しました。（K. Shibahara, T. Takeuchi, T. Saitoh, S. Nishino and H. Matsunami, “Inversion-type MOS field effect transistors using CVD grown cubic SiC on Si”, Proc. Mat. Res. Soc., 97 (1987) 247-252. DOI: 10.1557/proc-97-247）
その後、芝原健太郎は黒田尚孝氏らとSiC基板上に「ステップ制御エピタキシー」技術も実現（1987年発表）し、SSDM Award 2005も受賞ました。この技術で実用化されたSiCパワーデバイスが現在、世界中で利用され、電気自動車の普及を支え、世界中で量産がすすみ、市場は急速に拡大しています。
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