芝原健太郎が作成したSiCパワーデバイス（反転型SiC-MOSFET）は世界初の快挙です。1986年,シリコン(Si)基板上に作成されました。今日世界中で生産され、電気自動車・再生可能エネルギーなどに利用されているSiCパワーデバイスの先駆けです。 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERSに掲載されました。 以下にabstract ２ページ全部を掲載します。（ IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS December 1986, volume EDL-7, number 12 (ISSN 0741-3106) ）
その後、芝原は黒田氏らとSiC基板上に「ステップ制御エピタキシー」技術も実現しました（1987年発表）。この技術で実用化されたSiCパワーデバイスが現在世界中で量産•利用されています。
裏表紙にサインをしているところなど、世界初の快挙！を成し遂げた若き研究者の高揚感が伝わってきます。
表紙にアンダーラインを引いてしまいましたが、今日まで保管したので許してもらいましょう。
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