世界初のSiCパワーデバイス 反転型SiC-MOSFET* を作成（1986年）
Si*基板上に. 反転型SiC-MOSFET* を作成. 今日のSiC*基板上SiCパワーデバイスの先駆け iC半導体研究業績紹介
※用語説明： 「MOSFET」（モスエフイーティー）…（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタまたはMOS型電界効果トランジスタ 「反転型SiC-MOSFET」… 電流を遮断できる性能をもつMOSFET（MOS型電界効果トランジスタ）のこと。MOSFETを実用化するうえで、もっとも基本となる性能のひとつ. 「Si」 …シリコン 「SiC」… 炭化ケイ素（シリコンカーバイド）. 「ステップ制御エピタキシャル成長法」…「ステップ制御エピタキシー」のこと. 高品質の（SiC）エピタキシャル薄膜結晶を成長させる方法 .
球面研磨を施したSi(100)基板上に3C-SiC薄膜結晶を成長させた試料の写真.
この球面基板上への成長の結果より、(100)基板を＜011＞方向に２度傾けた基板を使うことにより, APD(Anti-Phase-Domain）のない3C-SiC膜が得られるようになった.
〖 球面研磨基板上にSiC薄膜結晶を成長させたところ、結晶の軸の向きによって表面が荒れている部分（写真では白や灰色）と鏡面状の部分（写真では線状の黒色,こちらが良い）ができた. 結晶の軸の向きが(100)面で＜011＞方向に２度傾いているSi基板を用いるとその上に良いSiC薄膜結晶が成長するとわかった. 〗 この研究がデバイス(反転型SiC-MOSFET)作成へとつながり、ステップ制御エピタキシャル成長法（「ステップ制御エピタキシー」）発見のヒントとなった.
世界初 反転型SiC-MOSFET作成 は IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS に掲載された
「ステップ制御エピタキシャル成長法」によって SSDM Award （SSDM賞）を受賞した
