「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日　Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986　

内　容
ー初級ー　…p1
ー中級ー　RHEEDの原理　…p1-11
(1)電子線の波長　(2)フラッグの法則
(3)フーリエ解析と逆格子
(4)回析の条件
(5)構造因子 (6) 電子線回析
(7) RHEEDパターンを求める
ー応用編ー「CVD成長したβ-SiC表面のRHEEDによる観察」　…p12

京都大学松波研究室で博士課程在籍中だった芝原が研究会¹での説明の為に書いた資料です。
1986年9月に反転型SiC MOSFETを発表した翌月の研究会のもので、翌1987年8月に発表したステップ制御エピタキシーでも芝原が成長層のポリタイプをRHEEDで同定しています。²
以下の研究と関係が深いものです。
K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 1888-1890.　

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1. 松波研究室では毎週研究会が開かれていた。 ↩︎
2. ポリタイプの同定：黒田尚孝氏の寄稿記録に「成長層のポリタイプは、芝原さんにRHEED28を使って同定してもらいました。（RHEEDは当時同志社大の装置を借りて測定していた芝原さんだけが装置を使えました。）芝原さんは、As-grownでは菊池線とストリークラインに隠されてポリタイプの判定ができないため、KOHエッチングで試料表面を荒らしてスポットパターンが出るように工夫して測定したと言われていました。」との記述がある ↩︎