京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績5)と関係が深いものです。
研究業績5)K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 1888-1890.
松波研究室では毎週研究会があり、それに出席していた方が残しておられました。
-
6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成
-
Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
-
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
-
世界初反転型SiC-MOSFET実現:松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
-
「RHEED-基礎的理論とその応用例」研究会資料1986年10月22日
コメント