「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日　Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986

Si基板上β-SiCに関する諸話題（「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する2,3の話題」）研究会資料（1986年4月30日）
“Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986

京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績3）および5）と関係が深いものです。
This workshop material was written by Kentaro Shibahara during his doctoral studies at Kyoto University. Its content is closely related to his research achievements (3) and (5).

３）K. Shibahara, T. Saito, （S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on Si(100)”, IEEE Electron Device Lett., 7 (1986) 692-693.
５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 1888-1890.
松波研究室では毎週研究会があり、出席メンバーが保存しておられました。 SiC半導体研究業績紹介  研究業績