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SSDM賞を受賞した上記ですが、芝原健太郎サイト内ではSSDMのサイトへリンクを貼っています。けれども、ダウンロードしないと読むことができません。ダウンロードしにくい環境でも読むことができるように掲載します。ダウンロードも一番下からすることがで...

 芝原健太郎が作成したSiCパワーデバイス（反転型SiC-MOSFET）は世界初の快挙です。1986年,シリコン(Si)基板上に作成されました。今日世界中で生産され、電気自動車・再生可能エネルギーなどに利用されているSiCパワーデバイスの先駆けです。 IEEE EL...

芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」の実現で2005年、黒田氏ら京都大学松波研究室のメンバーと一緒にSSDM賞を受賞しました。たいへん名誉な賞です。 現在実用化されているSiCパワーデバイスは、すべてこの技術を用いて作られています。SiCパワー半導...

芝原健太郎は「タウア・ニン最新VLSIの基礎 」を監訳・出版しました。（第1版 2002年, 第2版 2013年）　原書タイトルはFundamentals of Modern VLSI Devices です。 この本は教育機関・産業界の双方から非常に高く評価されており，先端 CMOS デバイス分野...

芝原健太郎(Kentaro Shibahara）（柴原ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。「タウア・ニン最新VLSIの基礎」の監訳者としてもよく知られています。 1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作成しました。 1987年 「ス...