未分類– category –
-
研究会資料「RHEED-基礎的理論とその応用例」1986年10月22日
手書きの研究会資料を残しておいて下さった方がいらっしゃいました。研究者である先生から貴重な資料だ、掲載すると良い、と言ってもらいましたので、掲載します。内容は、研究業績５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-fre... -
研究会資料「Si基板上に成長させ”β-SiCに関する２，３の話題」1986年4月30日
以前、手書きの研究会資料を頂きました。貴重な資料だ、掲載すると良い、と言われましたので、掲載します。内容は、研究業績３）と５）と関係が深いものです。 ３）K. Shibahara, T. Saito, S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-ty... -
Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
SSDM賞を受賞した上記ですが、芝原健太郎サイト内ではSSDMのサイトへリンクを貼っています。けれども、ダウンロードしないと読むことができません。ダウンロードしにくい環境でも読むことができるように掲載します。ダウンロードも一番下からすることがで... -
芝原が世界初 反転型SiC-MOSFETを作製・動作確認 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS に掲載 （1986年）
芝原健太郎が作製・動作確認したSiCパワーデバイス（反転型SiC-MOSFET）は世界初の快挙です。1986年,シリコン(Si)基板上に作製されました。今日世界中で生産され、電気自動車・再生可能エネルギーなどに利用されているSiCパワーデバイスの先駆けです。 IE... -
ステップ制御エピタキシー実現でSSDM賞を受賞
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」1の実現で2005年、黒田尚孝氏らと共にSSDM賞を受賞しました。現在実用化されているSiCパワーデバイスは、すべて ステップ制御エピタキシーを用いて作られています。共に受賞した松波弘之 京都大学名誉教授はエジ... -
芝原健太郎監訳「タウア・ニン最新VLSIの基礎」誕生
芝原健太郎は「タウア・ニン最新VLSIの基礎 」を監訳・出版しました。（第1版 2002年, 第2版 2013年） 原書タイトルはFundamentals of Modern VLSI Devices です。 この本は教育機関・産業界の双方から非常に高く評価されており，先端 CMOS デバイス分野... -
芝原健太郎 – 半導体研究者のメモリアルホームページ
芝原健太郎(Kentaro Shibahara）（柴原ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。「タウア・ニン最新VLSIの基礎」の監訳者としてもよく知られています。 1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作成しました。 1987年 「ス...
1