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芝原健太郎(Kentaro Shibahara)は  1986年 世界初の反転型SiC MOSFETを京都大学で作成しました。  1987年 「ステップ制御エピタキシー成長法」を実現、今日のSiCパワーデバイス実用化を可能にしました（2005年SSDM Award受賞） その後、NEC勤務を経て、広...