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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), To... -
半導体研究者のメモリアルサイト「芝原健太郎サイト」を作りました
（1960～2011）2009年撮影 HOMEをご覧ください 芝原健太郎(Kentaro Shibahara）(1960～2011）（柴原健太郎ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作製・動作確認しました。（...
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