MENU
HOME
主要記事
プロフィール
学会・産業界
での主な活動
受 賞
SiC半導体
研究業績紹介
Si半導体
研究業績紹介
学位論文
目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
出版
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
HOME
主要記事
プロフィール
学会・産業界
での主な活動
受賞
SiC半導体
研究業績紹介
Si半導体
研究業績紹介
学位論文
目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
出版
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
HOME
主要記事
プロフィール
学会・産業界
での主な活動
受賞
SiC半導体
研究業績紹介
Si半導体
研究業績紹介
学位論文
目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
出版
ホーム
未分類
未分類
– category –
未分類
半導体研究者のメモリアルサイト「芝原健太郎サイト」を作りました
(1960~2011)2009年撮影 HOMEをご覧ください 芝原健太郎(Kentaro Shibahara)(柴原健太郎ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作製・動作確認しました。( HOME) (...
2025-08-06
1
閉じる