『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価 Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices

本書の監訳は、原著者Taur氏と芝原健太郎との対話から始まりました。その経緯や刊行までの歩み、そして各界からの反響をご紹介します。
This Japanese edition grew out of a series of discussions between the author, Mr. Taur, and Kentaro Shibahara. Here we share the background, the path to the second edition, and its reception.

『タウア・ニン最新VLSIの基礎(第1版)』表紙(2002年、丸善出版)※
Fundamentals of Modern VLSI Devices (1st ed., 2002, Maruzen)
『タウア・ニン最新VLSIの基礎(第2版)』表紙(2013年、丸善出版)※
Fundamentals of Modern VLSI Devices (2nd ed., 2013, Maruzen)

タウア氏との対話から始まった監訳
Origin: Dialogue with the Author, Yuan Taur

この本は教育機関・産業界の双方から非常に高く評価されており,先端 CMOS デバイス分野標準の教科書と位置づけられています。
芝原は、この世界的教科書の日本語化について、原著者のTaur氏と2000年のVLSIシンポジウムで話し合いました。原著は日本でも良く知られていました。これを和訳することは、大学・企業で多くの人の役に立つに違いない、とTaur氏と意見が一致しました。

数多く売れる本ではないので、少々心配しながら丸善出版さんに翻訳・出版の相談をしましたが杞憂でした。丸善出版の担当者様のもと、翻訳・監訳作業が始まりました。休日は付箋付きの原稿を積み上げて取り組みました。
竹内潔先生、寺内衛先生、寺田和夫先生、堀敦先生、宮本恭幸先生が翻訳を分担して下さいました。この本を購入しやすいようにと印税はごくわずかに抑え、それを全員で等分しました。ですからこの先生方も、この本を多くの人に手に取って欲しいという思いで翻訳なさったに違いありません。2002年の秋に出版されました。

最期までやり続けた第2版
Second Edition: Dedicated to the Very End

その後、原書の第2版が出て、翻訳・監訳作業が始まりました。宮本恭幸先生・内田健先生と3人での仕事でした。
場所を選ばす出来る仕事として、最期の入院生活でも監訳を続けていました。が、2011年4月には出版までやり遂げられそうにないと思い、後を宮本先生と内田先生に託しました。そして両先生のお陰で無事に、芝原健太郎・宮本恭幸・内田健監訳「タウア・ニン最新VLSIの基礎 第2版」が2013年1月に出版されました。

志を継ぎ出版された第3版
The Third Edition: Carrying Forward His Vision

2024年秋には「第3版」日本語版が、宮本恭幸先生・内田 建監先生の監訳のもと、先端技術の話題を追加し、翻訳・刊行されました。
「学生や若い研究者のために」との願いで芝原健太郎が始めた日本語翻訳への思いは、この最新の第3版にも脈々と受け継がれています。
以下に、松波弘之先生をはじめ各界から寄せられた本書への評価を掲載します。

各界から寄せられた評価
Reception from Academia and Industr

松波 弘之 京都大学名誉教授
Hiroyuki Matsunami, Professor Emeritus, Kyoto University(追悼文集より / From the Memorial Collection
(芝原君は)2002年秋に、丸善から、『タウア・ニン 最新VLSIの基礎』(Yuan Taur and Tak H. Ning 著)芝原 健太郎 監訳 A5判・並製・610ページを出版した。5人が翻訳にかかわり、その監修であるから途轍もなくたいへんな作業であったことと想像する。
ディープサブミクロン VLSI デバイスにとって、特に重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新の CMOS (Complementary MOS)やバイポーラの基礎を解説しており、米国の有名大学の大学院1年次の教科書として使われているとのことであった。
2002年9月頃の mail から、彼の発したメッセージを記す。
>松波先生 広島大 芝原です。構想から 2 年以上の時間がかかったのですが、下記訳書を出版することができました。研究成果よりはもう少し何かしら世の中に広く役立ち、形に残る仕事がしたいと思い始めたものです。

西田 征男 様(広島大学大学院 博士課程修了)
Y. Nishida, Ph.D., Hiroshima University Graduate School
私は現在、企業で半導体素子開発に携わっておりますが、先生が翻訳された「タウア・ニン最新VLSIの基礎」は半導体素子の理論を学ぼうとする者に広く普及しており、非常に大きな業績だと思います。
先生は「研究成果よりはもう少し何かしら世の中に広く役立ち、形に残る仕事がしたい」とおっしゃっていたとありますが、日本の半導体産業の人材育成に多大な貢献をされたのは確かなので、先生の望まれた通りの成果が得られていると思います。

加藤 正史 名古屋工業大学 教授
M. Kato, Professor, Nagoya Institute of Technology
芝原先生が翻訳されたタウア・ニンの第二版は、持っていて、今日も見ていました。直接のご面識はないのですが、芝原先生の業績は後世にも継がれていることを、(遺族に)お伝えください。

企業在籍の研究者・技術者様
Researcher and Engineer in the semiconductor industry
私達の世代ではSzeの教科書でデバイス物理を学びましたが、同じような内容をより現代的な視点で学ぶことができる本だと思います。最近では大学院の講義用テキストとして選ばれることも多く、後輩の東北大学出身の後輩もこれを使ったと言っていました。今からデバイスの勉強をするならSzeよりタウア・ニンだと思います。
訳を分担した東工大の宮本恭幸先生は、化合物半導体の先生で、もう20年以上もお付き合いしてきました。この本も技術の進歩に合わせてアップデートされ、第3版ではFinFETなどの先端半導体についての内容も記載されているようです。
世界中で読まれているこんなにいい本を日本の半導体技術者が日本語で読めるようにしていただけたのは、大変有り難いことだと思います。


2024年秋に刊行された「第3版」日本語版(丸善出版)では、近年のプロセス微細化に不可欠な high-κ(高誘電率)ゲート絶縁膜やメタルゲート技術、短チャネルFinFET、ひずみシリコン移動度といった現代の重要な先端技術の話題が新たに追加され、全体の構成もアップデートされています。
「若い研究者や開発者に”タウアニン”で勉強して欲しい」、「日本の次世代の研究者・開発者が育って欲しい」との願いで芝原健太郎が始めた日本語翻訳への情熱は、第1版、第2版に続けてこの最新の第3版の中の記述や翻訳の部分部分に今も残されています。芝原の思いを行間から感じて頂ければ幸いです。

→ Si半導体の研究業績紹介  →BOOKS →研究業績  →HOME  

※『タウア・ニン最新VLSIの基礎』:Fundamentals of Modern VLSI Devices (1st ed., 2002, Maruzen),(2nd ed., 2013, Maruzen),(3nd ed., 2024, Maruzen).
「タウアニン 半導体」や「タウアニン 3版」などのキーワードで当サイトを訪れる方が多くいらっしゃるようです。『タウア・ニン最新VLSIの基礎』は「タウアニン」として親しまれていることを感じます。

編集記録:2026年4月15日タイトル・見出し変更、英語併記

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