MENU
  • HOME
  • 主要記事
  • プロフィール
  • 学会・産業界での主な活動
  • 受 賞
  • SiC半導体研究業績紹介
  • Si半導体研究業績紹介
  • 学位論文
    • 目 次 Table of Contents
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績
  • 出版
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • 主要記事
  • プロフィール
  • 学会・産業界での主な活動
  • 受賞
  • SiC半導体研究業績紹介
  • Si半導体研究業績紹介
  • 学位論文
    • 目 次 Table of Contents
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績
  • 出版
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • 主要記事
  • プロフィール
  • 学会・産業界での主な活動
  • 受賞
  • SiC半導体研究業績紹介
  • Si半導体研究業績紹介
  • 学位論文
    • 目 次 Table of Contents
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績
  • 出版
  1. ホーム
  2. 思い出

思い出– category –

  • 思い出

    半導体研究者のメモリアルサイト「芝原健太郎サイト」を作りました

    (1960~2011)2009年撮影     HOMEをご覧ください 芝原健太郎(Kentaro Shibahara)(柴原健太郎ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作製・動作確認しました。( HOME)  (...
    2025-08-06
1