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→第2章 II. CVD GROWTH OF 3C-SiC ON Si SUBSTRATES
→目次 Table of Contents
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『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価 Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
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証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
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芝原健太郎：ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
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芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986） Kentaro Shibahara: World’s First Inversion SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
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「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
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「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986
