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目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
出版
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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3 オフ基板上の成長
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5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
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3 オフ基板上の成長
3 オフ基板上の成長
III. GROWTH ON OFF ORIENTED SUBSTRATES
(準備中)
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