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目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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出版
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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松波
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松波弘之(京都大学名誉教授)が語る 芝原健太郎の歩み–世界初の反転型SiC-MOSFETを実現–
松波弘之(京都大学名誉教授)が、芝原健太郎が世界初のSIC-MOSFETを自力で作製・動作実証した(1986年)ことを具体的に書いています。さらにその後、松波研究室から黒田氏や芝原らがステップ制御エピタキシーをSSDMで発表(1987年)してSSDM賞を受賞したこ...
2025-11-01
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