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目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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出版
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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松波弘之(京都大学名誉教授)が語る 芝原健太郎の歩み–世界初の反転型SiC-MOSFETを実現–
松波弘之(京都大学名誉教授)は松波研究室責任者として、世界初の反転型SiC-MOSFETは当時博士課程に在籍していた芝原健太郎が自力で作製し動作実証した研究成果(1986年)であることを、2011年の回顧録において具体的に記しています。 「芝原健太郎君の歩...
2025-11-01
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