6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長

Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC

動画目次

  1. アチソン基板の斜め研磨方法
  2. 成長の温度プロファイル
  3. 境界層の反応種の輸送
  4. 基板上での吸着、脱離
  5. pn接合の電流電圧特性
  6. 発行スペクトル
  7. 青色発光機構

これらの内容が貴重な写真や図で説明されています。たいへん興味深い動画です。

動画「6H-SiC基板上への成長」
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