SiC半導体– category –
-
6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法 0:36～ 成長の温度プロファイル 2:55～ 境界層の反応種の輸送 4:25～ 基板上での吸着、脱離 4:47～ pn接合の電流電圧特性 7:56～ 発光スペクトル 8:07～ ... -
「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績５）と関係が深いものです。研究業績５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (19... -
「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986
Si基板上β-SiCに関する諸話題（「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する2,3の話題」）研究会資料（1986年4月30日）“Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986 京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。...
1