SiC半導体– category –
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法 0:36～ 成長の温度プロファイル 2:55～ 境界層の反応種の輸送 4:25～ 基板上での吸着、脱離 4:47～ pn接合の電流電圧特性 7:56～ 発光スペクトル 8:07～ ... -
“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”（SSDM 1987）全文 / Full Text｜低温におけるSiC単結晶のステップ制御VPE成長
Naotaka KURODA, Kentaro SHIBAHARA, Woosik YOO, Shigehiro NISHINO* and Hiroyuki MATSUNAMI Department of Electrical Engineering, Kyoto University, Kyoto 606*Department of Electrical Engineering, Kyoto Institute of Technology, Kyoto 606 N. ... -
「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
内 容ー初級ー …p1ー中級ー RHEEDの原理 …p1-11 (1)電子線の波長 (2)フラッグの法則 (3)フーリエ解析と逆格子 (4)回析の条件 (5)構造因子 (6) 電子線回析 (7) RHEEDパターンを求めるー応用編ー「CVD成長したβ-SiC表面のRHEEDによる観察」 …p12 京都... -
「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 “Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986
1986年9月に世界初の反転型SiC MOSFETをSSDMで発表した芝原が、その数か月前に、デバイス作製について研究室内で自ら具体的計画を説明している研究会1資料です. This document records Shibahara personally presenting his specific plans for device fa...
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