SiC半導体– category –

Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法　 0:36～ 成長の温度プロファイル 　2:55～ 境界層の反応種の輸送 　4:25～ 基板上での吸着、脱離 　4:47～ pn接合の電流電圧特性　 7:56～ 発光スペクトル　 8:07～ ...

京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績５）と関係が深いものです。　研究業績５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (...

京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績３）と５）と関係が深いものです。　　３）K. Shibahara, T. Saito, S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on S...