6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長　Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC

動画目次

1. アチソン基板の斜め研磨方法　 0:36～
2. 成長の温度プロファイル 　2:55～
3. 境界層の反応種の輸送 　4:25～
4. 基板上での吸着、脱離 　4:47～
5. pn接合の電流電圧特性　 7:56～
6. 発光スペクトル　 8:07～
7. 青色発光機構

これらの内容が貴重な写真や図で説明されています。たいへん興味深い動画です。