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証言記録 ステップ制御エピタキシー — 黒田尚孝氏・芝原健太郎による実現–
黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。松波弘之京都大学名誉教授の研究室で、黒田氏と芝原が議論や実験を通じて、この技術をどのように実現したのか辿ります。 １．... -
松波弘之(京都大学名誉教授)が語る 芝原健太郎の歩み ー世界初の反転型SiC-MOSFETを実現ー
IEEEエジソンメダルを受賞した松波弘之（京都大学名誉教授）が、芝原が世界初のSIC-MOSFETを作製したことを書いています。さらに松波弘之教授の研究室から黒田氏や芝原らの5人がステップ制御エピタキシーを発表してSSDM賞を受賞したことや芝原の学位論文に... -
世界初 反転型SiC-MOSFETを作製・動作確認, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS に掲載(1986年）
芝原健太郎が作製・動作確認したSiCパワーデバイス（反転型SiC-MOSFET）は世界初の快挙です。1986年,シリコン(Si)基板上に作製されました。今日世界中で生産され、電気自動車・再生可能エネルギーなどに利用されているSiCパワーデバイスの先駆けです... -
ステップ制御エピタキシー実現でSSDM賞を受賞
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」1の実現で2005年、黒田尚孝氏らと共にSSDM賞を受賞しました。現在実用化されているSiCパワーデバイスは、すべて ステップ制御エピタキシーを用いて作られています。共に受賞した松波弘之 京都大学名誉教授はエジ... -
芝原健太郎監訳「タウア・ニン最新VLSIの基礎」誕生
芝原健太郎は「タウア・ニン最新VLSIの基礎 」を監訳・出版しました。（第1版 2002年, 第2版 2013年） 原書タイトルはFundamentals of Modern VLSI Devices です。 この本は教育機関・産業界の双方から非常に高く評価されており，先端 CMOS デバイス分野...
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