注目記事– category –
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証言記録 ステップ制御エピタキシー — 黒田尚孝氏・芝原健太郎による実現–
黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。松波弘之京都大学名誉教授の研究室で、黒田氏と芝原が議論や実験を通じて、この技術をどのように実現したのか辿ります。 １．... -
松波弘之(京都大学名誉教授)が語る 芝原健太郎の歩み–世界初の反転型SiC-MOSFETを実現–
松波弘之（京都大学名誉教授）は松波研究室責任者として、世界初の反転型SiC-MOSFETは当時博士課程に在籍していた芝原健太郎が自力で作製し動作実証した研究成果（1986年）であることを、2011年の回顧録において具体的に記しています。 「芝原健太郎君の歩... -
芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986）
芝原健太郎は1986年、反転チャネル形成に基づく世界初のSiC MOSFETの作製および動作実証に成功し、その成果を IEEE Electron Device Letters に報告した。これは、SiCがMOSデバイス材料として実用可能であることを初めて実証した研究である。 世界初... -
ステップ制御エピタキシー実現で芝原健太郎がSSDM賞を受賞
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」1の実現で黒田尚孝氏らと共にSSDM賞を受賞しました。(2005年）芝原健太郎と共に受賞した松波弘之 京都大学名誉教授(下に寄稿あり）はIEEEエジソンメダル(2023)も受賞されています。 「証言記録 ステップ制御... -
芝原健太郎監訳「タウア・ニン最新VLSIの基礎」誕生
芝原健太郎は「タウア・ニン最新VLSIの基礎 」を監訳・出版しました。（第1版 2002年, 第2版 2013年） 原書タイトルはFundamentals of Modern VLSI Devices です。 この本は教育機関・産業界の双方から非常に高く評価されており，先端 CMOS デバイス分野...
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