SiC半導体– category –
-
研究会資料「RHEED-基礎的理論とその応用例」1986年10月22日
京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績５）と関係が深いものです。 研究業績５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (... -
研究会資料「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する２，３の話題」1986年4月30日
京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績３）と５）と関係が深いものです。 ３）K. Shibahara, T. Saito, S. Nishino, and H. Matsunami, “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on S... -
Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
SSDM賞を受賞した上記ですが、画像とファイルとで掲載します。(応用物理学会による全文掲載許可有)（スマートフォンでは、ファイル形式のものは表示されないので、両方の形で掲載します。） N. Kuroda, K. Shibahara, W. Yoo, S. Nishino, and H. Matsun...
1