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目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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MOSFET
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注目記事
世界初SiC-MOSFETの真実:松波弘之教授が綴る『芝原健太郎君の歩んだ道』The Truth of the First SiC-MOSFET: Prof. Matsunami on Kentaro Shibahara
1986年の世界初SiC-MOSFET動作実証は、当時博士課程の芝原健太郎氏が独力で成し遂げた成果です。 研究室を主宰されていた松波弘之教授(京都大学名誉教授)は、追悼文集への寄稿の中で、これが芝原氏自らほぼ単独で作製・動作実証された画期的な研究成果で...
2025-11-01
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