芝原健太郎は、半導体分野の先駆的な研究と主要な国際学会への貢献を通じて、その発展に尽力しました。
2011年4月に逝去の際には、これまでの多大な貢献と功績を称え、同年のVLSIシンポジウム1開会式冒頭において、特別な追悼セッションが設けられました。
国際的な活動
- IEDM (International Electron Devices Meeting): Program Committee Member, Process Technology Subcommittee (2008–2011)
- Symposium on VLSI Technology: Symposia Officer / Program Committee Member
- SSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials): Chair of Area 3 (2004–2007) / Cochair (2008) / Editor of the Special Issue for JJAP (2009) / Editorial Committee Member
- ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors/ 国際半導体技術ロードマップ): WG6 PIDS Special Committee Member
- VLSI-TSA (International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications): Technical Program Committee Member (2006–2011)
- IWJT (International Workshop on Junction Technology): Advisory / Steering Committee Member
国内での活動
- 日本学術振興会 (JSPS): 第165委員会「超集積デバイス・システム」委員
- 応用物理学会 (JSAP): 代議員（2008–2011年）
- 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会: 幹事（2005–2006年）
- 新機能素子研究開発協会 (FED): 量子機能素子技術動向調査委員会 委員
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証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
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芝原健太郎と松波弘之：ステップ制御エピタキシーとSSDM賞/ Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: Step-Controlled Epitaxy and the SSDM Award
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『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価 Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices
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芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986） Kentaro Shibahara: World’s First Inversion SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
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「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986
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「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
- VLSIシンポジウム：
米国の「IEDM」と並び、半導体デバイス・プロセス技術分野における世界最高峰の二大国際学会の一つ。世界中の主要な企業や研究機関から最先端の技術成果が集まる発表の舞台。 ↩︎
Additional Record
2004 — Symposium on VLSI Technology, Session 5 “Advanced Transistor Technology I,” Co-Chairperson.
編集履歴：2025年作製、2026年英語ページ作製、6月文章追加 7月役職追加、リンク追加、脚注追加、8月応用物理学会評議員の誤記を代議員に修正