芝原健太郎は、半導体分野の先駆的な研究と主要な国際学会への貢献を通じて、その発展に尽力しました。
2011年4月に逝去の際には、これまでの多大な貢献と功績を称え、同年のVLSIシンポジウム開会式冒頭において、特別な追悼セッションが設けられました。
国際的な活動
- IEDM (International Electron Devices Meeting): Program Committee Member, Process Technology Subcommittee (2008–2011)
- Symposium on VLSI Technology: Symposia Officer / Program Committee Member
- SSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials): Chair of Area 3 (2004–2007) / Cochair (2008) / Editor of the Special Issue for JJAP (2009) / Editorial Committee Member
- ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors/ 国際半導体技術ロードマップ): WG6 PIDS Special Committee Member
- VLSI-TSA (International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications): Technical Program Committee Member (2006–2011)
- IWJT (International Workshop on Junction Technology): Advisory / Steering Committee Member
国内での活動
- 日本学術振興会 (JSPS): 第165委員会「超集積デバイス・システム」委員
- 応用物理学会 (JSAP): 評議員(2008–2011年)
- 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会: 幹事(2005–2006年)
- 新機能素子研究開発協会 (FED): 量子機能素子技術動向調査委員会 委員


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編集履歴:2025年作製、2026年英語ページ作製、6月文章追加 7月役職追加、リンク追加,
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芝原健太郎:ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
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証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
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芝原健太郎|世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載(1986) Kentaro Shibahara: World’s First Inversion SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
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『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価 Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices
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世界初反転型SiC-MOSFET実現:松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
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「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料:1986年4月30日 Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986
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「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料:1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC