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目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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主要記事(Featured Articles)
主要記事(Featured Articles)
世界初の反転型SiC-MOSFETを作製・動作実証
World’s First Inversion-Mode SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
松波弘之教授の証言:芝原健太郎による独力での作製・実証
Testimony: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Solo Success of SiC-MOSFET
【証言記録】ステップ制御エピタキシー:黒田尚孝・芝原健太郎による実現
T
he Realization of Step-Controlled Epitaxy: Naotaka Kuroda & Kentaro Shibahara
2005年 SSDM賞受賞:SiC実用化の鍵「ステップ制御エピタキシー」
2005 SSDM Award: Step-Controlled Epitaxy for SiC Power Devices
『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳と各界からの反響
Japanese Translation of “Taur & Ning”: Reviews and Feedback
注目記事
『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の記録と寄せられた評価
2025-08-27
注目記事
世界初SiC-MOSFETの真実:松波弘之教授が綴る『芝原健太郎君の歩んだ道』The Truth of the First SiC-MOSFET: Prof. Matsunami on Kentaro Shibahara
2025-11-01
注目記事
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎 による実現
2025-12-14
注目記事
ステップ制御エピタキシー実現で芝原健太郎がSSDM賞を受賞
2025-09-02
注目記事
芝原健太郎|世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載(1986)
2025-09-05
SiC半導体
「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する2,3の話題」研究会資料1986年4月30日
2025-10-17
SiC半導体
「RHEED-基礎的理論とその応用例」研究会資料1986年10月22日
2025-10-25
SiC半導体
6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成
2026-01-19
未分類
Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
2026-01-16
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