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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原　健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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主要記事(Featured Articles)

世界初の反転型SiC-MOSFETを作製・動作実証
World’s First Inversion-Mode SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
松波弘之教授の証言：芝原健太郎による独力での作製・実証
Testimony: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Solo Success of SiC-MOSFET
【証言記録】ステップ制御エピタキシー：黒田尚孝・芝原健太郎による実現
The Realization of Step-Controlled Epitaxy: Naotaka Kuroda & Kentaro Shibahara
2005年 SSDM賞受賞：SiC実用化の鍵「ステップ制御エピタキシー」
2005 SSDM Award: Step-Controlled Epitaxy for SiC Power Devices
『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳と各界からの反響
Japanese Translation of “Taur & Ning”: Reviews and Feedback