SiCパワー半導体– tag –

芝原健太郎は1986年、反転チャネル形成に基づく世界初のSiC MOSFETの作製および動作実証に成功し、その成果を IEEE Electron Device Letters に報告した。これは、SiCがMOSデバイス材料として実用可能であることを初めて実証した研究である。  世界初...