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目 次 Table of Contents
序 文 PREFACE
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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β-SiC
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SiC半導体
Si基板上β-SiCに関する諸話題 研究会資料1986年4月30日
Si基板上β-SiCに関する諸話題(「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する2,3の話題」)研究会資料(1986年4月30日)“Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986 京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。...
2025-10-17
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