「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 “Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986
1986年9月に世界初の反転型SiC MOSFETをSSDMで発表した芝原が、その数か月前に、デバイス作製について研究室内で自ら具体的計画を説明している研究会1資料です. This document records Shibahara personally presenting his specific plans for device fa...
