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    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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アチソン基板– tag –

  • SiC半導体

    6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC

    Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法  0:36~ 成長の温度プロファイル  2:55~ 境界層の反応種の輸送  4:25~ 基板上での吸着、脱離  4:47~ pn接合の電流電圧特性  7:56~ 発光スペクトル  8:07~ ...
    2026-01-19
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