MENU
  • HOME
  • プロフィールProfile
  • 学会・社会活動Service
  • 出版Books
  • 受 賞Awards
  • 研究業績紹介Research
    • SiC半導体
      SiC Power Devices
    • Si半導体
      Silicon NanodevicesSilicon Nanodevices
  • 学位論文Dissertation
    • 目 次 Table of Contents
    • 序 文 PREFACE
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績Publications
  • 主要記事Featured Articles
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • プロフィールProfile
  • 学会・社会活動Service
  • 出版Books
  • 受 賞Awards
  • 研究業績紹介Research
    • SiC半導体
      SiC Power Devices
    • Si半導体
      Silicon Nanodevices
      Silicon Nanodevices
  • 学位論文Dissertation
    • 目 次 Table of Contents
    • 序 文 PREFACE
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績Publications
  • 主要記事Featured Articles
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • プロフィールProfile
  • 学会・社会活動Service
  • 出版Books
  • 受 賞Awards
  • 研究業績紹介Research
    • SiC半導体
      SiC Power Devices
    • Si半導体
      Silicon Nanodevices
      Silicon Nanodevices
  • 学位論文Dissertation
    • 目 次 Table of Contents
    • 序 文 PREFACE
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績Publications
  • 主要記事Featured Articles
  1. ホーム
  2. タウアニン半導体

タウアニン半導体– tag –

  • 注目記事

    『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices

    本書の監訳は、芝原健太郎と原著者Taur氏との対話から始まりました。その経緯や第2版刊行までの歩み、そして各界からの反響をご紹介します。This Japanese edition grew out of a series of discussions between the author, Mr. Taur, and Kentaro Shibah...
    2025-08-27
1