MENU
  • HOME
  • プロフィールProfile
  • 学会・社会活動Service
  • 研究紹介Research
    • SiC半導体
      SiC Power Materials and Devices
    • Si半導体
      Silicon NanodevicesSilicon Nanodevices
  • 研究業績Achievements
    • 研究業績
      Achievements
    • 学位論文
      Dissertation
      • 目 次 Table of Contents
      • 序文・謝辞
      • 1 はじめに INTRODUCTION
      • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
      • 3 オフ基板上の成長
      • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
      • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
      • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
      • 7 結 論 CONCLUSIONS
      • 8 研究業績・付録8. List of Publications / Appendix
  • 出版Books
  • 受 賞Awards
  • 主要記事Featured Articles
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • プロフィールProfile
  • 学会・社会活動Service
  • 研究紹介Research
    • SiC半導体
      SiC Power Materials and Devices
    • Si半導体
      Silicon Nanodevices
      Silicon Nanodevices
  • 研究業績Achievements
    • 研究業績
      Achievements
    • 学位論文
      Dissertation
      • 目 次 Table of Contents
      • 序文・謝辞
      • 1 はじめに INTRODUCTION
      • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
      • 3 オフ基板上の成長
      • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
      • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
      • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
      • 7 結 論 CONCLUSIONS
      • 8 研究業績・付録8. List of Publications / Appendix
  • 出版Books
  • 受 賞Awards
  • 主要記事Featured Articles
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • プロフィールProfile
  • 学会・社会活動Service
  • 研究紹介Research
    • SiC半導体
      SiC Power Materials and Devices
    • Si半導体
      Silicon Nanodevices
      Silicon Nanodevices
  • 研究業績Achievements
    • 研究業績
      Achievements
    • 学位論文
      Dissertation
      • 目 次 Table of Contents
      • 序文・謝辞
      • 1 はじめに INTRODUCTION
      • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
      • 3 オフ基板上の成長
      • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
      • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
      • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
      • 7 結 論 CONCLUSIONS
      • 8 研究業績・付録8. List of Publications / Appendix
  • 出版Books
  • 受 賞Awards
  • 主要記事Featured Articles
  1. ホーム
  2. 6H-SiC

6H-SiC– tag –

  • SiC半導体

    6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC

    Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法  0:36~ 成長の温度プロファイル  2:55~ 境界層の反応種の輸送  4:25~ 基板上での吸着、脱離  4:47~ pn接合の電流電圧特性  7:56~ 発光スペクトル  8:07~ ...
    2026-01-19
1