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6H-SiCに関する記事をまとめています。
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法 0:36～ 成長の温度プロファイル 2:55～ 境界層の反応種の輸送 4:25～ 基板上での吸着、脱離 4:47～ pn接合の電流電圧特性 7:56～ 発光スペクトル 8:07～ ... -
Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), Tokyo, pp. 227–230. [DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2]Note: This extended abs...
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