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目 次 Table of Contents
序文・謝辞
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
8 研究業績・付録
8. List of Publications / Appendix
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法 0:36~ 成長の温度プロファイル 2:55~ 境界層の反応種の輸送 4:25~ 基板上での吸着、脱離 4:47~ pn接合の電流電圧特性 7:56~ 発光スペクトル 8:07~ ...
2026-01-19
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