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6H-SiCに関する記事をまとめています。
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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
1987年、京都大学松波弘之教授の研究室から発表されたSiCのステップ制御エピタキシーは今日のSiC半導体分野を支える基盤技術となりました。この結晶成長法の背景にあった芝原健太郎らによるSi基板上3C-SiCの結晶成長、APD、原子ステップ、オフ基板、反転型... -
6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC 動画目次 アチソン基板の斜め研磨方法 0:36～ 成長の温度プロファイル 2:55～ 境界層の反応種の輸送 4:25～ 基板上での吸着、脱離 4:47～ pn接合の電流電圧特性 7:56～ 発光スペクトル 8:07～ ... -
“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”（SSDM 1987）全文 / Full Text｜低温におけるSiC単結晶のステップ制御VPE成長
Naotaka KURODA, Kentaro SHIBAHARA, Woosik YOO, Shigehiro NISHINO* and Hiroyuki MATSUNAMI Department of Electrical Engineering, Kyoto University, Kyoto 606*Department of Electrical Engineering, Kyoto Institute of Technology, Kyoto 606 N. ...
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