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      • 序文・謝辞
      • 1 はじめに INTRODUCTION
      • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
      • 3 オフ基板上の成長
      • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
      • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
      • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
      • 7 結 論 CONCLUSIONS
      • 8 研究業績・付録8. List of Publications / Appendix
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)
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RHEED– tag –

  • SiC半導体

    「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料:1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986 

    内 容ー初級ー …p1ー中級ー RHEEDの原理 …p1-11 (1)電子線の波長 (2)フラッグの法則 (3)フーリエ解析と逆格子 (4)回析の条件 (5)構造因子 (6) 電子線回析 (7) RHEEDパターンを求めるー応用編ー「CVD成長したβ-SiC表面のRHEEDによる観察」 …p12 京都...
    2025-10-25
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