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目 次 Table of Contents
序 文 PREFACE
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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RHEED
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SiC半導体
「RHEED-基礎的理論とその応用例」研究会資料1986年10月22日
京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績5)と関係が深いものです。 研究業績5)K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (...
2025-10-25
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