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      • 1 はじめに INTRODUCTION
      • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
      • 3 オフ基板上の成長
      • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
      • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
      • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
      • 7 結 論 CONCLUSIONS
      • 8 研究業績・付録8. List of Publications / Appendix
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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RHEED– tag –

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    「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料:1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986 

    京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績5)と関係が深いものです。研究業績5)K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (19...
    2025-10-25
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