ステップ制御エピタキシー– tag –
SiCのステップ制御エピタキシー（Step-Controlled Epitaxy）と、その研究・成立過程に関する記事をまとめています。
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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
1987年、京都大学松波研究室から発表されたSiCのステップ制御エピタキシーは今日のSiC半導体分野を支える基盤技術となりました。この結晶成長法の背景にあった芝原健太郎らによるSi基板上3C-SiCの結晶成長、APD、原子ステップ、オフ基板、反転型SiC MOSFET... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー ―黒田尚孝と芝原健太郎 Oral History of Step-Controlled Epitaxy: Naotaka Kuroda and Kentaro Shibahara
黒田尚孝氏寄稿Contributed by Naotaka Kurodaステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原らが、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
1986年、芝原健太郎は世界初となる反転型SiC-MOSFETの動作実証を成し遂げました。松波弘之教授（現・京都大学名誉教授）は本寄稿文で、芝原が自ら研究上の困難を克服してMOSFETを実現した経緯を振り返るとともに、その成果の大きさについて記しています。...
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