SiC半導体– tag –
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
1986年、芝原健太郎は世界初となる反転型SiC-MOSFETの動作実証を成し遂げました。松波弘之教授（現・京都大学名誉教授）は本寄稿文で、芝原が自ら研究上の困難を克服してMOSFETを実現した経緯を振り返るとともに、その成果の大きさについて記しています。... -
「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 “Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986
1986年9月に世界初の反転型SiC MOSFETをSSDMで発表した芝原が、その数か月前に、デバイス作製について研究室内で自ら具体的計画を説明している研究会1資料です. This document records Shibahara personally presenting his specific plans for device fa...
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