SiC半導体– tag –
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
1986年の世界初となるSiC-MOSFETの動作実証は、当時博士課程の学生であった芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた歴史的な研究成果です。研究室を主宰されていた松波弘之教授（京都大学名誉教授）は自身の寄稿文の中で、このデバイスの作製から動作... -
「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986
Si基板上β-SiCに関する諸話題（「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する2,3の話題」）研究会資料（1986年4月30日）“Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986 京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。...
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