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世界初反転型SiC-MOSFET実現:松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
1986年の世界初反転型SiC-MOSFET動作実証は、当時博士課程の芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた成果です。 研究室を主宰されていた松波弘之教授(京都大学名誉教授)は、追悼文集への寄稿の中で、これは芝原が作製・動作実証した画期的な研究成果... -
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Si基板上β-SiCに関する諸話題 研究会資料1986年4月30日
Si基板上β-SiCに関する諸話題(「Si基板上に成長させたβ-SiCに関する2,3の話題」)研究会資料(1986年4月30日)“Topics on β-SiC Grown on Si Substrates” Workshop Material, April 30, 1986 京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。...
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