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3C-SiC（立方晶SiC、cubic SiC）に関する記事をまとめています。
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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
1987年、京都大学松波研究室から “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures” が発表された。のちに「ステップ制御エピタキシー」と呼ばれるこの成長法の背景には、芝原健太郎らによるSi基板上3C-SiCの結晶成長、APD、原子... -
Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), Tokyo, pp. 227–230. [DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2]Note: This extended abs...
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