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世界初反転型SiC-MOSFET実現:松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
1986年の世界初となるSiC-MOSFETの動作実証は、当時博士課程の学生であった芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた歴史的な研究成果です。研究室を主宰されていた松波弘之教授(京都大学名誉教授)は自身の寄稿文の中で、このデバイスの作製から動作... -
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芝原健太郎:ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」の実現で黒田尚孝氏・松波弘之氏らと共にSSDM賞を受賞しました(2005年)。松波弘之 京都大学名誉教授(下に寄稿あり)は、IEEEエジソンメダル(2023年)も受賞されています。Kentaro Shibahara received the SSD...
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