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目 次 Table of Contents
序 文 PREFACE
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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SSDM賞
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注目記事
芝原健太郎:ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」の実現で黒田尚孝氏らと共にSSDM賞を受賞しました(2005年)。芝原健太郎と共に受賞した松波弘之 京都大学名誉教授(下に寄稿あり)は、IEEEエジソンメダル(2023年)も受賞されています。Kentaro Shibahara rece...
2025-09-02
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