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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), Tokyo, pp. 227–230. [DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2]Note: This extended abs... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
1986年の世界初となるSiC-MOSFETの動作実証は、当時博士課程の学生であった芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた歴史的な研究成果です。松波弘之教授（現 京都大学名誉教授)は自身の寄稿文の中で、このデバイスの作製から動作実証に至る画期的な...
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