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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
1987年、京都大学松波研究室から発表されたSiCのステップ制御エピタキシーは今日のSiC半導体分野を支える基盤技術となりました。この結晶成長法の背景にあった芝原健太郎らによるSi基板上3C-SiCの結晶成長、APD、原子ステップ、オフ基板、反転型SiC MOSFET... -
“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”（SSDM 1987）全文 / Full Text｜低温におけるSiC単結晶のステップ制御VPE成長
Naotaka KURODA, Kentaro SHIBAHARA, Woosik YOO, Shigehiro NISHINO* and Hiroyuki MATSUNAMI Department of Electrical Engineering, Kyoto University, Kyoto 606*Department of Electrical Engineering, Kyoto Institute of Technology, Kyoto 606 N. ... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
1986年、芝原健太郎は世界初となる反転型SiC-MOSFETの動作実証を成し遂げました。松波弘之教授（現・京都大学名誉教授）は本寄稿文で、芝原が自ら研究上の困難を克服してMOSFETを実現した経緯を振り返るとともに、その成果の大きさについて記しています。...
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