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Articles on Step-Controlled Epitaxy of SiC, its development, and related research.
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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
1987年、京都大学松波研究室から “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures” が発表された。のちに「ステップ制御エピタキシー」と呼ばれるこの成長法の背景には、芝原健太郎らによるSi基板上3C-SiCの結晶成長、APD、原子... -
Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), Tokyo, pp. 227–230. [DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2]Note: This extended abs... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝と芝原健太郎の実現
黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原が、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように実現したのか辿ります。 １．ステ...
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