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Articles on Step-Controlled Epitaxy of SiC, its development, and related research.
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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
1987年、京都大学松波弘之教授の研究室から発表されたSiCのステップ制御エピタキシーは今日のSiC半導体分野を支える基盤技術となりました。この結晶成長法の背景にあった芝原健太郎らによるSi基板上3C-SiCの結晶成長、APD、原子ステップ、オフ基板、反転型... -
“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”（SSDM 1987）全文 / Full Text｜低温におけるSiC単結晶のステップ制御VPE成長
Naotaka KURODA, Kentaro SHIBAHARA, Woosik YOO, Shigehiro NISHINO* and Hiroyuki MATSUNAMI Department of Electrical Engineering, Kyoto University, Kyoto 606*Department of Electrical Engineering, Kyoto Institute of Technology, Kyoto 606 N. ... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー ―黒田尚孝と芝原健太郎 Oral History of Step-Controlled Epitaxy: Naotaka Kuroda and Kentaro Shibahara
黒田尚孝氏寄稿Contributed by Naotaka Kurodaステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原らが、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように...
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