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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), Tokyo, pp. 227–230. [DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2]Note: This extended abs... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原が、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように実現したのか辿ります。 １．ステ... -
芝原健太郎と松波弘之：ステップ制御エピタキシーとSSDM賞/ Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: Step-Controlled Epitaxy and the SSDM Award
1987年、芝原健太郎と黒田尚孝は京都大学・松波弘之研究室で、「ステップ制御エピタキシー（Step-Controlled Epitaxy）」を実現しました。黒田が実験を担当し、芝原は黒田を指導するとともに研究成果をまとめ、SSDMで発表しました。この成果により、芝原健...
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