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目 次 Table of Contents
1 はじめに INTRODUCTION
2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
3 オフ基板上の成長
4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
7 結 論 CONCLUSIONS
研究業績
出版
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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1 はじめに INTRODUCTION
1 はじめに INTRODUCTION
dissertation introduction
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2025-09-02
ステップ制御エピタキシー実現でSSDM賞を受賞
2025-12-14
証言記録 ステップ制御エピタキシー — 黒田尚孝氏・芝原健太郎による実現–
2025-08-06
半導体研究者のメモリアルサイト「芝原健太郎サイト」を作りました
2025-11-01
松波弘之(京都大学名誉教授)が語る 芝原健太郎の歩み ー世界初の反転型SiC-MOSFETを実現ー
2025-09-05
世界初 反転型SiC-MOSFETを作製・動作確認, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS に掲載(1986年)
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