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    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
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1 はじめに INTRODUCTION

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