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    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
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半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
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  2. 1 はじめに INTRODUCTION

1 はじめに INTRODUCTION

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    証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎 による実現

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    世界初反転型SiC-MOSFET実現:松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara

  • 2025-08-27

    『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices

  • 2025-09-02

    芝原健太郎:ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy

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    Si基板上β-SiCに関する諸話題 研究会資料1986年4月30日