ステップ制御エピタキシー– tag –
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), To... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原が、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように実現したのか辿ります。 １．ステ... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
1986年の世界初となるSiC-MOSFETの動作実証は、当時博士課程の学生であった芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた歴史的な研究成果です。研究室を主宰されていた松波弘之教授（京都大学名誉教授）は自身の寄稿文の中で、このデバイスの作製から動作... -
芝原健太郎：ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」の実現で黒田尚孝氏・松波弘之氏らと共にSSDM賞を受賞しました（2005年）。松波弘之 京都大学名誉教授（下に寄稿あり）は、IEEEエジソンメダル（2023年）も受賞されています。Kentaro Shibahara received the SSD...
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