ステップ制御エピタキシー– tag –
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), To... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現 黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原が、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
1986年の世界初反転型SiC-MOSFET動作実証は、当時博士課程の芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた成果です。 研究室を主宰されていた松波弘之教授（京都大学名誉教授）は、追悼文集への寄稿の中で、これは芝原が作製・動作実証した画期的な研究成果... -
芝原健太郎：ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」の実現で黒田尚孝氏らと共にSSDM賞を受賞しました（2005年）。芝原健太郎と共に受賞した松波弘之 京都大学名誉教授（下に寄稿あり）は、IEEEエジソンメダル（2023年）も受賞されています。Kentaro Shibahara rece...
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