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松波弘之とSiC研究、関連する研究成果・研究史についての記事をまとめています。
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芝原健太郎と松波弘之―ステップ制御エピタキシー実現までのSiC研究 Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: SiC Research Leading to the Realization of Step-Controlled Epitaxy
1987年、京都大学松波研究室から発表されたSiCのステップ制御エピタキシーは今日のSiC半導体分野を支える基盤技術となりました。この結晶成長法の背景にあった芝原健太郎らによるSi基板上3C-SiCの結晶成長、APD、原子ステップ、オフ基板、反転型SiC MOSFET... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー ―黒田尚孝と芝原健太郎 Oral History of Step-Controlled Epitaxy: Naotaka Kuroda and Kentaro Shibahara
黒田尚孝氏寄稿Contributed by Naotaka Kurodaステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原らが、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
1986年、芝原健太郎は世界初となる反転型SiC-MOSFETの動作実証を成し遂げました。松波弘之教授（現・京都大学名誉教授）は本寄稿文で、芝原が自ら研究上の困難を克服してMOSFETを実現した経緯を振り返るとともに、その成果の大きさについて記しています。... -
「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
内 容ー初級ー …p1ー中級ー RHEEDの原理 …p1-11 (1)電子線の波長 (2)フラッグの法則 (3)フーリエ解析と逆格子 (4)回析の条件 (5)構造因子 (6) 電子線回析 (7) RHEEDパターンを求めるー応用編ー「CVD成長したβ-SiC表面のRHEEDによる観察」 …p12 京都... -
芝原健太郎・松波研究室｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証―IEEE EDL 1986 Kentaro Shibahara and the Matsunami Laboratory | World’s First Demonstration of an Inversion-Type SiC MOSFET — IEEE EDL 1986
1986年、芝原健太郎らは京都大学松波弘之研究室において、反転型SiC-MOSFETの作製および動作実証に成功し、その成果はIEEE Electron Device Lettersに掲載されました。 これは、SiCがMOSデバイス材料として実用可能であることを初めて実証した研究です。本... -
芝原健太郎と松波弘之：ステップ制御エピタキシーとSSDM賞/ Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: Step-Controlled Epitaxy and the SSDM Award
1987年、芝原健太郎と黒田尚孝らは京都大学・松波弘之研究室で、「ステップ制御エピタキシー（Step-Controlled Epitaxy）」を実現しました。黒田が実験を担当し、芝原は黒田を指導するとともに研究成果をまとめ、SSDMで発表しました。この成果により、2005...
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