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松波弘之とSiC研究、関連する研究成果・研究史についての記事をまとめています。
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証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原が、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように実現したのか辿ります。 １．ステ... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Dr. Kentaro Shibahara
1986年の世界初となるSiC-MOSFETの動作実証は、当時博士課程の学生であった芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた歴史的な研究成果です。松波弘之教授（現 京都大学名誉教授)は自身の寄稿文の中で、このデバイスの作製から動作実証に至る画期的な... -
「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績５）と関係が深いものです。研究業績５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (19... -
芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986） Kentaro Shibahara: World’s First Inversion SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
芝原健太郎は1986年、反転チャネル形成に基づく世界初のSiC MOSFETの作製および動作実証に成功し、その成果を IEEE Electron Device Letters に報告した。これは、SiCがMOSデバイス材料として実用可能であることを初めて実証した研究である。 世界初... -
芝原健太郎と松波弘之：ステップ制御エピタキシーとSSDM賞/ Kentaro Shibahara and Hiroyuki Matsunami: Step-Controlled Epitaxy and the SSDM Award
1987年、芝原健太郎と黒田尚孝は京都大学・松波弘之研究室で、「ステップ制御エピタキシー（Step-Controlled Epitaxy）」を実現しました。黒田が実験を担当し、芝原は黒田を指導するとともに研究成果をまとめ、SSDMで発表しました。この成果により、芝原健...
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