主要記事

   「世界初の反転型SiC-MOSFETを作製・動作確認, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS に掲載される（1986年）」　   　　

  「松波弘之 京都大学名誉教授(IEEEエジソン賞受賞)が語る 芝原健太郎の歩み — 世界初の反転型SiC-MOSFETを実現 —」　   　


  「SiCパワーデバイス実用化を可能にした「ステップ制御エピタキシー」実現でSSDM賞を受賞（2005年）」　   

   「証言記録 ステップ制御エピタキシー — 黒田尚孝氏・芝原健太郎による実現 —」