芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986）

芝原健太郎は1986年、反転チャネル形成に基づく世界初のSiC MOSFETの作製および動作実証に成功し、その成果を IEEE Electron Device Letters に報告した。これは、SiCがMOSデバイス材料として実用可能であることを初めて実証した研究である。

世界初の反転型SiC-MOSFETの動作実証（1986）

1986年12月、芝原健太郎は、立方晶SiC（3C-SiC）を用いた反転型nチャネルMOSFETの動作実証した。

この成果は、K. Shibahara et al., “Fabrication of inversion-type n-channel MOSFETs using cubic SiC on Si(100)”,IEEE Electron Device Letters, Vol.7, pp.692–693 (1986). DOI: 0.1109/EDL.1986.26522
に報告された。

MRSにおける国際発表（1987）

翌1987年4月には、同成果が Materials Research Society (MRS) において発表された。K. Shibahara et al.,
“Inversion-type MOS field effect transistors using CVD grown cubic SiC on Si”,Proc. Materials Research Society, Vol.97, pp.247–252 (1987).DOI: 10.1557/proc-97-24

松波弘之 京都大学名誉教授は、芝原が世界初の反転型SiC-MOSFETの動作実証を自力でやり遂げたことを回顧録に書いています。

「松波弘之京都大学名誉教授（IEEEエジソン賞受賞）が語る芝原健太郎—世界初反転型SiC-MOSFETを実現—」

その後、芝原健太郎は黒田尚孝氏らとSiC基板上に「ステップ制御エピタキシー」技術も実現（1987年発表）し、SSDM Award 2005も受賞しました。

今日、この技術で実用化されたSiCパワーデバイスは、世界中で電気自動車・再生可能エネルギーなどに利用され、生産高は急速拡大しています。　　