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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
"Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures" “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1987), To... -
証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
黒田尚孝氏寄稿ステップ制御エピタキシー1は、SiCパワーデバイス2実用化を可能にした画期的な技術として広く知られています。黒田氏と芝原が、京都大学松波弘之教授の研究室で、議論や実験を通じて、この技術をどのように実現したのか辿ります。 １．ステ... -
世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
1986年の世界初となるSiC-MOSFETの動作実証は、当時博士課程の学生であった芝原健太郎氏が主体的に取り組み、成し遂げた歴史的な研究成果です。研究室を主宰されていた松波弘之教授（京都大学名誉教授）は自身の寄稿文の中で、このデバイスの作製から動作... -
「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
京都大学で博士課程在籍中だった芝原が書いた研究会資料です。内容は、研究業績５）と関係が深いものです。研究業績５）K. Shibahara, S. Nishino, and H. Matsunami, “Antiphase-domain-free growth of cubic SiC on Si(100)”, Appl. Phys. Lett., 50 (19... -
芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986） Kentaro Shibahara: World’s First Inversion SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
芝原健太郎は1986年、反転チャネル形成に基づく世界初のSiC MOSFETの作製および動作実証に成功し、その成果を IEEE Electron Device Letters に報告した。これは、SiCがMOSデバイス材料として実用可能であることを初めて実証した研究である。 世界初... -
芝原健太郎：ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
芝原健太郎は「ステップ制御エピタキシー」の実現で黒田尚孝氏・松波弘之氏らと共にSSDM賞を受賞しました（2005年）。松波弘之 京都大学名誉教授（下に寄稿あり）は、IEEEエジソンメダル（2023年）も受賞されています。Kentaro Shibahara received the SSD...
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