芝原健太郎(Kentaro Shibahara）（柴原ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。「タウア・ニン最新VLSIの基礎」の監訳者としてもよく知られています。
1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作成しました。
1987年 「ステップ制御エピタキシー成長法」を実現、今日のSiCパワーデバイス実用化を可能にしました。 （2005年SSDM Award受賞）
その後、NECで高集積DRAMなどを研究・開発しました。
1995年からは広島大学に在籍し、主にシリコン（Si）半導体分野において研究・教育・学会・産業界で活発な活動をしていました。
世界的権威を誇るVLSIシンポジウム及びIEDMなど国際会議のプログラム委員などを歴任しましたが、2011年に他界、VLSI Symposium 2011では異例の追悼セッションが設けられました。
このサイトは多くの研究者や知人・友人の助言・協力を得て家族が作成しています。
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柴原健太郎メモリアルページではなく、芝原健太郎メモリアルページです。
コメント
コメント一覧 （3件）
こんにちは、これはコメントです。
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拝見しました。
ホームページづくり応援しています。
時々拝見しながらできていくのを楽しみにしています。
連絡先を作って下さったら、手持ちの資料等お送りしたいと思いますのでよろしくお願いします。
ささ舟様 見て下さってありがとうございます！応援の言葉もありがとうございます！SWELLというブログ・ホームページ作成ソフトを使っているのですが、使い方がよくわからなくてなかなか進みません。早速、「連絡先」の作り方を調べて作ります。また、何でも気が付かれたことがあったらどんどん教えてください。よろしくお願いいたします。