芝原健太郎 – 半導体研究者のメモリアルホームページ

芝原健太郎(Kentaro Shibahara）（柴原ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。「タウア・ニン最新VLSIの基礎」の監訳者としてもよく知られています。

1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作成しました。

1987年 「ステップ制御エピタキシー成長法」を実現、今日のSiCパワーデバイス実用化を可能にしました。　　　（2005年SSDM Award受賞）

その後、NECで高集積DRAMなどを研究・開発しました。　

1995年からは広島大学に在籍し、主にシリコン（Si）半導体分野において研究・教育・学会・産業界で活発な活動をしていました。

世界的権威を誇るVLSIシンポジウム及びIEDMなど国際会議のプログラム委員などを歴任しましたが、2011年に他界、VLSI Symposium 2011では異例の追悼セッションが設けられました。

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