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芝原健太郎(Kentaro Shibahara）（柴原健太郎ではなく芝原 )は京都大学や広島大学に在籍した半導体の研究者です。
1986年 世界初の反転型SiC-MOSFETを京都大学で作製・動作確認しました。（HOME）
（IEEE Electron Device Lett.誌に掲載）
1987年 「ステップ制御エピタキシー成長法」を実現、今日のSiCパワーデバイス実用化を可能にしました（HOME）。
（2005年SSDM Award受賞）
その後、NECで高集積DRAMなどを研究・開発しました。
1995年からは広島大学に在籍し、主にシリコン（Si）半導体分野において研究・教育・学会・産業界で活発な活動をしていました。
「タウア・ニン最新VLSIの基礎」の監訳をしたこともよく知られています。
世界的権威を誇るVLSIシンポジウムやSSDM、IEDMなど国際会議のプログラム委員や委員長などを歴任しました。
が、2011年に他界、VLSI Symposium 2011では異例の追悼セッションが設けられました。
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