MENU
  • HOME
  • 主要記事
  • プロフィール
  • 学会・産業界での主な活動
  • 受 賞
  • SiC半導体研究業績紹介
  • Si半導体研究業績紹介
  • 学位論文
    • 目 次 Table of Contents
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績
  • 出版
半導体研究者の業績紹介サイト | 芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • 主要記事
  • プロフィール
  • 学会・産業界での主な活動
  • 受賞
  • SiC半導体研究業績紹介
  • Si半導体研究業績紹介
  • 学位論文
    • 目 次 Table of Contents
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績
  • 出版
芝原 健太郎 (Kentaro Shibahara)site
  • HOME
  • 主要記事
  • プロフィール
  • 学会・産業界での主な活動
  • 受賞
  • SiC半導体研究業績紹介
  • Si半導体研究業績紹介
  • 学位論文
    • 目 次 Table of Contents
    • 1 はじめに INTRODUCTION
    • 2 Si基板上への3C-SiCのCVD成長
    • 3 オフ基板上の成長
    • 4 成長層の電気的特性と不純物ドーピング
    • 5 3C-SiC成長層へのイオン注入とMOSFETへの応用
    • 6 6H-SiC(0001)上のCVD成長
    • 7 結 論 CONCLUSIONS
  • 研究業績
  • 出版
  1. ホーム
  2. 受 賞

受 賞

2005年 SSDM Award 受賞

“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”

 「証言記録 ステップ制御エピタキシー — 黒田尚孝氏と芝原健太郎による実現–」



 「ステップ制御エピタキシー実現でSSDM賞を受賞」

受賞者右から 黒田尚孝,芝原健太郎,Woo Yoo Sik, 西野茂弘,松波弘之(敬称略)
SSDM Award trophy

/

 HOME