2005年 SSDM Award
芝原健太郎は、ステップ制御エピタキシー1の実現で松波名誉教授らと共にSSDM Awardを受賞しました。
受賞対象論文
“Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures“
SSDM 1987, DOI: 10.7567/SSDM.1987.C-4-2
業績の意義｜Significance
芝原健太郎は、6H-SiC(0001)基板にオフ角を導入することにより、高品質な6H-SiCのホモエピタキシャル成長を初めて実現しました。「ステップ制御エピタキシー」と名付けられた本成果は、今日のSiCパワーデバイス実用化の出発点であり、当該分野における最大のマイルストーンとして高く評価されています。
SiCパワーデバイスの市場規模は、今日3000億円を超えています。電気自動車・AIデータセンタ・再生エネルギーなどで使用され、市場規模は年々拡大しています。
主要国際会議SSDM（固体素子・材料コンファレンス）で最高の栄誉であるSSDM賞、松波名誉教授と西野元教授の寄稿を紹介します。
谷口委員長と芝原
受賞者右から：黒田尚孝,芝原健太郎,,Woo Sik Yoo,西野茂弘,松波弘之（敬称略）
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芝原健太郎：ステップ制御エピタキシーでSSDM賞受賞 Kentaro Shibahara Awarded SSDM Award for Step-Controlled Epitaxy
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証言記録 ステップ制御エピタキシー 黒田尚孝氏と芝原健太郎の実現
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芝原健太郎｜世界初の反転型SiC-MOSFET動作実証― IEEE EDL掲載（1986） Kentaro Shibahara: World’s First Inversion SiC-MOSFET (IEEE EDL, 1986)
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『タウア・ニン最新VLSIの基礎』監訳の背景・エピソードと各界からの評価 Background, Editorial Insights, and Reception of the Japanese Translation of Fundamentals of Modern VLSI Devices
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世界初反転型SiC-MOSFET実現：松波弘之教授が語る芝原健太郎の歩み The First Successful Inversion-Type SiC-MOSFET: Prof. Hiroyuki Matsunami on the Career of Kentaro Shibahara
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6H-SiC基板上へのSiC薄膜結晶成長 Homohepiaxial growth of SiC Growth on 6H-SiC
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Extended Abstract “Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures”
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「RHEED―基礎的理論とその応用例」研究会資料：1986年10月22日 Technical Meeting Document: “RHEED — Basic Theory and Application Examples” : October 22, 1986
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「Si基板上β-SiCに関する諸話題」研究会資料：1986年4月30日 Technical Meeting Document: “Topics on β-SiC on Si Substrates”: April 30, 1986
- 「ステップ制御エピタキシー」：ステップ制御エピタキシャル成長法に同じ。これの実現で、SiC半導体（パワーデバイス）が実用化された。電気自動車などで使われており、市場規模は、3000億円を超える。 ↩︎
編集履歴：2026年5月英語ページ作製