(柴原健太郎ではなく芝原健太郎です)
１９６０年 神戸市生まれ
１９７８年 兵庫県立兵庫高校卒業
１９８５年 京都大学博士前期課程 電気工学第二専攻 修了
１９８７年 学位取得（「化学気相成長法によるSiCのエピタキシャル成長と電子デバイスへの応用」( ”EPITAXIAL GROWTH OF SiC BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND APPLICATION TO ELECTRONIC DEVICES”)（1987年京都大学））
１９８８年 京都大学博士後期課程 電気工学第二専攻 修了
大学時代の研究テーマは SiC の結晶成長とデバイス応用(松波研究室)
１９８８年～１９９５年１月 日本電気株式会社 勤務
超高速デジタル GaAs 系 FET や高集積 DRAM の研究開発に従事
１９９５年２月 広島大学集積化システム研究センター助教授
１９９５年５月 ナノデバイス・システム研究センター（ナノデバイス研究所）発足に伴い同センター助教授
２００７年４月 同上 准教授
２００８年５月 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所（現 半導体産業技術研究所）発足に伴い同研究所准教授
２０１１年４月２１日 逝去
